Основы радиоэлектроники и схемотехники

Задание 1
Расчет однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе.

Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером.
1.Выполнить инженерный расчет усилительного каскада на БТ с ОЭ, который должен обеспечить усиление в полосе частот от fн =20Гц до
fв =20кГц.
2. По результатам расчета элементов принципиальной схемы усилителя
провести расчет основных параметров усилительного каскада.
Вычислить общее значение коэффициента частотных искажений на нижней граничной частоте fн, указанной в исходных данных.
Аналогично вычислить общее значение коэффициента частотных искажений на верхней граничной частоте fв.
Удалось ли обеспечить требуемое значение fн?

Задание 2. Расчет насыщенного ключа на БТ.
1. Провести инженерный расчет элементов принципиальной схемы
насыщенного ключа на БТ и его параметров. Для всех вариантов задания одинаковы следующие исходные данные: длительность импульса τи =5мкс, период повторения T=10мкс, минимальный уровень входного импульса
Uвх зап =0В. Амплитуда напряжения входного импульса определяется величиной порогового напряжения единицы Uвхm =1,1⋅U1пор .

1.1. Согласно описанному алгоритму провести расчет сопротивления ре-
зисторов R1, R2 и RК принципиальной схемы ключа.
1.2. Пользуясь семействами входных и выходных ВАХ БТ, построить пе-
редаточную характеристику ключа Uвых =f(Uвх). Определить значения параметров U0пор, U1пор, U0вых, U1вых.
1.3. Рассчитать параметры быстродействия ключа tвкл, tзадвыкл , tсп, tнрU.
1.4. Результаты расчета свести в таблицу.