*
*

X

Заказать работу

оценка заказа бесплатно

Типы проводимости полупроводниковых материалов. Механизм образования p-n перехода, его свойства. Методы и технологии создания областейс различной проводимостью. Дать их краткие характеристики.

рефераты, Электротехника

Объем работы: 15 стр.

Год сдачи: 2012

Стоимость: 10 бел рублей (323 рф рублей, 5 долларов)

Просмотров: 551

 

Не подходит работа?
Узнай цену на написание.

Оглавление
Введение
Литература
Заказать работу
Введение 2
1. Полупроводники 3
1.1. Свойства полупроводников 3
1.2. Строение полупроводников и принцип их действия 3
1.3 Примесная проводимость. 4
2. P-N переход 10
3. Использование полупроводников. 14
Литература 15

Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность. Задолго до этого были обнаружены:
1. эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник
2. фотопроводимость.
Была доказана возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике. Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).
Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.
В последнее время большее распространение получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.


1. Д.А.Браун.-Новые материалы в технике. -Издательство «Высшая школа», М.- 1965,194с.
2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем./Москва, Энергия, 1973.
3. Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В., Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. / Воронеж. ИПФ "Воронеж" 1994.

После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.

Эту работу можно получить в офисе или после поступления денег на счет в течении 30 минут.
ФИО *


E-mail для получения работы *


Телефон *


Дополнительная информация, вопросы, комментарии:


С условиями прибретения работы согласен.

 
Добавить страницу в закладки
Отправить ссылку другу