Работа по ЭБ ЭВС (элементная база ЭВС)

Биполярный транзистор типа n-p-n является основным схемным элементом полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС). Он обладает лучшими характеристиками, чем транзистор типа p-n-p, а технология его изготовления более проста.
Остальные элементы ИМС выбираются и конструируются таким образом, чтобы они совмещались со структурой транзистора типа n-p-n. Их изготовляют одновременно с транзистором типа n-p-n на основе какой-либо из его областей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора типа n-p-n определяет основные электрические параметры остальных элементов схемы.
Наиболее широкое распространение получила транзисторная структура типа n+-p-n со скрытым подколлекторным n+-слоем (рис. 1).
...

Наиболее распростран╦нной конструкцией МОП-транзистора, используемой более 10 лет в полупроводниковой промышленности, является LDD (Lightly Doped Drain) структура (рис. 9). Её особенностью является наличие мелких слаболегированных областей, которые удлиняют области истока и стока в сторону канала. Концентрацию легирующей примеси в этих областях (фосфор и бор) и режим разгонки выбирают таким образом, чтобы получить плавный p-n-переход.
Для снижения емкостей транзистора выбирают слаболегированную подложку, а для обеспечения необходимого порогового напряжения и снижения напряжения прокола применяют легирование канала примесью того же типа, что и в подложке. Легирование выполняют примерно на глубину области пространственного заряда под затвором.