Основные параметры источников опорного напряжения
контрольные работы, Техничекие дисциплины Объем работы: 20 стр. Год сдачи: 2010 Стоимость: 10 бел рублей (323 рф рублей, 5 долларов) Просмотров: 394 | Не подходит работа? |
Оглавление
Введение
Заключение
Заказать работу
Контрольное задание по дисциплине "Микроэлектроника и микросхемотехника"
Содержание:
1. Элементы интегральных схем. Транзисторы р-п-р…………............ 3
2. Герметизация микроэлектронных устройств.
Герметизация корпусов контактной сваркой…………………………. 7
3. Интегральные источники опорного напряжения.
Основные параметры источников опорного напряжения……………. 14
Заключение………………………………………………………………. 19
Список литературы……………………………………………………… 20
Содержание:
1. Элементы интегральных схем. Транзисторы р-п-р…………............ 3
2. Герметизация микроэлектронных устройств.
Герметизация корпусов контактной сваркой…………………………. 7
3. Интегральные источники опорного напряжения.
Основные параметры источников опорного напряжения……………. 14
Заключение………………………………………………………………. 19
Список литературы……………………………………………………… 20
1. Элементы интегральных схем. Транзисторы р-п-р.
Элементами ИС (как полупроводниковых, так и гибридных) называют их неделимые составные части — те, которые нельзя отдельно специфицировать и поставить как отдельные изделия.[1] Одна из особенностей элементов ИС по сравнению с аналогичными дискретными приборами или электрорадиоэлементами состоит в том, что они имеют электрическую связь с общей подложкой, а иногда и друг с другом. Поэтому математические и физические модели (эквивалентные схемы) элементов ИС несколько отличаются от моделей дискретных аналогов.
Вторая особенность элементов ИС по сравнению с дискретными приборами связана с тем, что все элементы ИС получаются в едином технологическом процессе. Т.е., при изготовлении элементов ИС имеется меньше «степеней свободы», чем при изготовлении их дискретных аналогов: можно варьировать главным образом конфигурацией элементов ИС «в плане», т.е. их длиной и шириной, а не глубиной слоев и их электрофизическими параметрами. В результате параметры элементов ИС в значительной мере коррелированы (взаимосвязаны) и ограничены, чего нет у дискретных компонентов.[4]
В процессе развития микроэлектроники появились такие элементы ИС, которые не имеют аналогов в дискретной электронике: многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы, транзисторы с барьером Шоттки, трехмерные элементы и др.
Традиционные компоненты — диоды, конденсаторы и т.п. — изменились конструктивно, изменился диапазон их параметров. [4]В полупроводниковых ИС отсутствуют аналоги таких традиционных компонентов, как катушки индуктивности и трансформаторы.
Компонентами ИС называют такие составные части гибридных микросхем, которые можно специфицировать отдельно и поставлять в виде отдельных изделий. Компоненты ГИС представляют собой навесные детали, отличающиеся от «обычных» дискретных компонентов лишь конструктивным оформлением (бескорпусные диоды, транзисторы и ИС).[4]
Главными элементами биполярных полупроводниковых ИС являются n-p-n-транзисторы....
Элементами ИС (как полупроводниковых, так и гибридных) называют их неделимые составные части — те, которые нельзя отдельно специфицировать и поставить как отдельные изделия.[1] Одна из особенностей элементов ИС по сравнению с аналогичными дискретными приборами или электрорадиоэлементами состоит в том, что они имеют электрическую связь с общей подложкой, а иногда и друг с другом. Поэтому математические и физические модели (эквивалентные схемы) элементов ИС несколько отличаются от моделей дискретных аналогов.
Вторая особенность элементов ИС по сравнению с дискретными приборами связана с тем, что все элементы ИС получаются в едином технологическом процессе. Т.е., при изготовлении элементов ИС имеется меньше «степеней свободы», чем при изготовлении их дискретных аналогов: можно варьировать главным образом конфигурацией элементов ИС «в плане», т.е. их длиной и шириной, а не глубиной слоев и их электрофизическими параметрами. В результате параметры элементов ИС в значительной мере коррелированы (взаимосвязаны) и ограничены, чего нет у дискретных компонентов.[4]
В процессе развития микроэлектроники появились такие элементы ИС, которые не имеют аналогов в дискретной электронике: многоэмиттерные и многоколлекторные транзисторы, транзисторы с барьером Шоттки, трехмерные элементы и др.
Традиционные компоненты — диоды, конденсаторы и т.п. — изменились конструктивно, изменился диапазон их параметров. [4]В полупроводниковых ИС отсутствуют аналоги таких традиционных компонентов, как катушки индуктивности и трансформаторы.
Компонентами ИС называют такие составные части гибридных микросхем, которые можно специфицировать отдельно и поставлять в виде отдельных изделий. Компоненты ГИС представляют собой навесные детали, отличающиеся от «обычных» дискретных компонентов лишь конструктивным оформлением (бескорпусные диоды, транзисторы и ИС).[4]
Главными элементами биполярных полупроводниковых ИС являются n-p-n-транзисторы....
Список литературы:
1. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники М.: Лаборатория Базовых знаний, 2002 г.,448 с.
2. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник.— М.: Радио и связь, 1991.—528 с.
3. Романова, М. П. Сборка и монтаж интегральных микросхем : учебное пособие / М. П. Романова. – Ульяновск : УлГТУ, 2008. – 95с.
4. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. — 488 с: ил.
5. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М.: Издательский дом «Додека-XXI». 2005.
6. КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 6 '2007 «Интегральные источники опорного напряжения» Михаил ПУШКАРЕВ
1. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники М.: Лаборатория Базовых знаний, 2002 г.,448 с.
2. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник.— М.: Радио и связь, 1991.—528 с.
3. Романова, М. П. Сборка и монтаж интегральных микросхем : учебное пособие / М. П. Романова. – Ульяновск : УлГТУ, 2008. – 95с.
4. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. — 488 с: ил.
5. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М.: Издательский дом «Додека-XXI». 2005.
6. КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 6 '2007 «Интегральные источники опорного напряжения» Михаил ПУШКАРЕВ
После офорления заказа Вам будут доступны содержание, введение, список литературы*
*- если автор дал согласие и выложил это описание.